DB35/T 1370-2013 发光二极管芯片点测方法
标准详情：
DB35/T 1370-2013
地方标准-福建省推荐性现行
- 中文名称：发光二极管芯片点测方法
- CCS分类：L45
- ICS分类：31.260
- 发布日期：2013-12-04
- 实施日期：2014-03-01
- 代替标准：
- 行业分类：信息传输、软件和信息技术服务业，电子学
- 技术归口：省信息化局
- 发布部门：福建省质量技术监督局
- 标准分类：信息传输、软件和信息技术服务业福建省电子学
内容简介
本标准规定了发光二极管芯片（以下简称芯片）的点测条件和点测方法。本标准适用于可见光发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测。紫外光、红 外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。
地方标准《发光二极管芯片点测方法》由省信息化局归口上报，主管部门为福建省质量技术监督局。
起草单位
厦门市三安光电科技有限公司、福建省光电行业协会、厦门市产品质量监督检验院、国家半导体发光器件（LED）应用产品质量监督检验中心、
起草人
蔡伟智、梁奋、时军朋、葛莉荭、陈涛、兰国政、李国煌、吕艳、黄松金、刘毅清、
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- 标准质量：
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