GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法

内容简介

国家标准《硅片径向电阻率变化的测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）、全国有色金属标准化技术委员会联合归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1X10-3Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。

起草单位

峨嵋山半导体材料厂、

起草人

相近标准

GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
JB/T 3573-2004 滚动轴承 径向游隙的测量方法
SJ/T 11627-2016 太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法
GB/T 25769-2010 滚动轴承 径向游隙的测量方法
GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
SJ/T 11487-2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法
GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法
GB/T 30869-2014 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法