GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）

标准详情：

GB/T 43894.1-2024

国家标准推荐性

中文名称：半导体晶片近边缘几何形态评价第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）
CCS分类：H21
ICS分类：77.040
发布日期：2024-04-25
实施日期：2024-11-01
代替标准：
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
发布部门：国家标准委
标准分类：金属材料试验冶金

内容简介

国家标准《半导体晶片近边缘几何形态评价第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。
本文件描述了一系列高度径向二阶导数法（ZDD）评价半导体晶片的近边缘几何形态的方法。本文件适用于硅抛光片、硅外延片、SOI订片及其他带有表面层的圆形晶片，也用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。

起草单位

山东有研半导体材料有限公司、金瑞泓微电子（嘉兴）有限公司、广东天域半导体股份有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、中环领先半导体材料有限公司、鸿星科技（集团）股份有限公司、

起草人

王玥、朱晓彤、徐新华、徐国科、陈海婷、丁雄杰、孙燕、宁永铎、李春阳、张海英、郭正江、

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