GB/T 44517-2024 微机电系统（MEMS）技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法
标准详情：
GB/T 44517-2024
国家标准推荐性现行
- 中文名称：微机电系统（MEMS）技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法
- CCS分类：L59
- ICS分类：31.080.99
- 发布日期：2024-09-29
- 实施日期：2025-04-01
- 代替标准：
- 技术归口：全国微机电技术标准化技术委员会
- 发布部门：国家标准委
- 标准分类：电子学半导体分立器件其他半导体分立器件
内容简介
国家标准《微机电系统（MEMS）技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法》由TC336（全国微机电技术标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。
本文件描述了测量厚度范围为0.01μm~10μm的MEMS膜残余应力的方法，包含晶圆曲率法和悬臂梁挠度法。本文件适用于沉积在已知杨氏模量和泊松比等力学性质衬底上的膜。
起草单位
合肥美的电冰箱有限公司、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司、苏州大学、苏州慧闻纳米科技有限公司、无锡芯感智半导体有限公司、深圳市美思先端电子有限公司、美的集团股份有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、华东电子工程研究所（中国电子科技集团公司第三十八研究所）、南京高华科技股份有限公司、安徽北方微电子研究院集团有限公司、无锡韦感半导体有限公司、中机生产力促进中心有限公司、中国科学院空天信息创新研究院、国网智能电网研究院有限公司、无锡华润上华科技有限公司、微纳感知（合肥）技术有限公司、宁波科联电子有限公司、东南大学、深圳市速腾聚创科技有限公司、北京晨晶电子有限公司、武汉高德红外股份有限公司、广东润宇传感器股份有限公司、明石创新（烟台）微纳传感技术研究院有限公司、
起草人
马卓标、 李根梓、 余庆、 孙立宁、 孙旭辉、 胡永刚、 宏宇、 王雄伟、 董显山、 杨旸、 汤一、 兰之康、 李海全、 万蔡辛、 曹诗亮、谢波、王军波、梁先锋、杨绍松、许磊、钱峰、周再发、张森、张红旗、黄晟、张胜兵、高峰、陈林、
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